中国首款！长江存储64层3D NAND闪存开始量产

　　中国首款！长江存储64层3D NAND闪存开始量产

　　中国证券报记者从紫光集团获悉，紫光集团旗下长江存储于9月2日正式宣布，公司已开始量产基于Xtacking架构的中国首款64层256Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。

　　长江存储64层3D NAND闪存是全球首款基于Xtacking架构设计并实现量产的闪存产品，拥有同代产品中最高的存储密度。Xtacking可实现在两片独立的晶圆上分别加工外围电路和存储单元，这样有利于选择更先进的制造工艺。当两片晶圆各自完工后，创新的Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数十亿根垂直互联通道(VIA)将两片晶圆键合。相比传统3D NAND闪存架构，Xtacking可带来更快的I/O传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。

　　长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华表示：“通过将Xtacking架构引入批量生产，能够显著提升产品性能，缩短开发周期和生产制造周期，从而推动高速大容量存储解决方案市场的快速发展。”程卫华还提到，“随着5G、人工智能和超大规模数据中心时代的到来，闪存市场的需求将持续增长。长江存储64层3D NAND闪存产品的量产将为全球存储器市场健康发展注入新动力。”

　　公开资料显示，2016年，长江存储在NOR Flash晶圆制造商武汉新芯的基础上，由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资组建而成，负责国家存储器基地项目(总投资约为240亿美元)的研发、建设和运营。长江存储于2017年研制成功中国第一颗3D NAND闪存芯片。2018年8月公开发布其突破性技术——Xtacking技术。据中国证券报记者此前了解，尽管32层3D NAND已有小批量生产，但大批量生产并不在长江存储的计划之内，其瞄准的是与全球巨头缩小差距，尽快追上64层甚至128层的全球领先水平。

　　值得一提的是，除了通过布局3D NAND进入外储存器市场外，紫光集团也在主存储器市场做了布局。8月27日，重庆市人民政府与紫光集团签署紫光存储芯片产业基地项目合作协议。根据协议，紫光集团将在重庆两江新区发起设立紫光国芯集成电路股份有限公司和重庆紫光集成电路产业基金，建设包括DRAM总部研发中心在内的紫光DRAM事业群总部、DRAM存储芯片制造工厂、紫光科技园等。

　　作者：吴科任